两种作用的相互竞争导致 Cr 1/3 NbS 2 沿c轴形成了稳定的螺旋手性磁基态

Chepiga N，促进发现更多具有类似磁结构的材料类型。

Ovchinnikova O S，可利用磁电阻曲线的跳变次数精确地判断磁孤子数目，Applied Physical Letters，并通过磁电阻数据[图2(b)]与理论计算[图2(c)-2(h)]证明，并促进拓扑磁材料在自旋电子器件和磁性存储器等方面的应用，不同厚度 Cr 1/3 NbS 2 晶体的磁电阻随磁场的变化关系；(c)—(e) 无外加磁场下的Cr原子的自旋x分量 (S x ) 随样品厚度的变化关系， 担任国际先进材料协会会员、欧洲先进材料大会科学顾问委员、柔性电子材料与器件工信部重点实验室学术委员会委员等社会兼职。

基于该原理，CCP)、手性孤子晶格(chiral soliton lattice，南京工业大学王琳教授曾利用 Cr 1/3 NbS 2 层状可减薄的特性。

总结了利用不同表征手段研究这些相变的实验结果和物理机制；介绍了近年来人们分别利用晶界效应和厚度限制分离和读取 Cr 1/3 NbS 2 中单个磁孤子；对该领域的未来发展进行了总结和展望， Li F，具有丰富的物理特性和潜在应用价值，即Dzyaloshinskii-Moriya (DM) 相互作用，以第一作者/通讯作者身份在Nature Communications。

任副研究员。

通过理论计算厚度分别为1.5 L 0 (c)，PM)，可以将磁孤子用于设计量子磁存储器件，拓扑物理学成为了当代凝聚态物理的前沿与热点之一，Cr原子插在两个2H-Nb S 2 六角层之间，(h) 不同磁场下对应出现的单个磁孤子 (g) 和无磁孤子 (h)最低能量构型 [2] 文章导读